三相交流调压模块系列
三相交流一体化调压模块
智能型三相交流一体化调压模块
三相可控硅调压移相触发器
固态继电器用三相移相触发器
智能型固态继电器用三相移相触发器
SCR电力调整器
大功率负载调压系统
散热器
单相交流调压模块系列
单相交流一体化调压模块
单相交流半波调压模块
隔离型单相固态调压器模块
大电流隔离型单相固态调压器模块
单相固态调压器
单相半波固态调压器
单相移相SCR触发器
单相移相SSR触发器
交流周波控制调功模块系列
交流调功周波控制器
三相一体化交流调功模块
单相一体化交流调功模块
交流整流调压模块系列
三相一体化整流调压模块
单相一体化整流调压模块
三相可控硅整流触发器
单相可控硅整流触发器
交直流正反转控制系列
智能型交流电机正反转模块
普通型交流电机正反转模块
单相电机正反转模块
隔离型直流电机正反转模块
普通型直流电机正反转模块
交直流固态继电器系列
单相交流固态继电器
三相交流固态继电器
三相缺相保护固态继电器
直流固态继电器
交直流两用固态继电器
常闭型固态继电器
常开常闭型双路型固态继电器
半波随机型交流固态继电器
直流控制电源
IC制造工艺落后,中国何时能跟上世界步伐?
时间:2015-03-24 07:13来源:未知 作者:admin 点击:次
近日,台积电宣布已开始试产效能更强、功耗更低的16纳米固态继电器升级版FinFET制程(16FF+),将于2015年的第二季度提前量产,可望在今年年底前完成数十件正反转模块设计定案。而此前,英特尔、三星早已先后宣布进入14纳米量产阶段。当全球都将目光聚集在1x纳米制程的时候,中国大陆却仿佛已游离在这个圈子之外。中国大陆最大的电力调整器代工企业中芯国际,迟迟还没有传出进入28纳米量产的消息。这不禁让人忧心,中国的IC制造如何才能重新跟上世界的先进步伐?
IC制造工艺落后,中国何时能跟上世界步伐?
全球开始迈入1x纳米量产
英特尔是最早进入1x纳米制程量产的,其运用的是14纳米的第二代FinFET(鳍式场效电晶体管)技术。量产并没有最初想象中的顺利——英特尔初期的 14纳米工艺良率极低,迟迟未达到量产标准,经历了几次量产时间跳票。直到2014年8月,英特尔才宣布交付并量产了世界首款14纳米Broadwell 处理器。自此,英特尔正式进入14纳米量产阶段。
继英特尔之后,顺利传出1x纳米量产消息的是三星。在2014年12月,三星半导体业务总裁金奇南(KimKi-nam)宣布,三星14nmFinFET 工艺进展顺利,已经在投产客户芯片了。接着在今年的2月16日,三星正式公布了14纳米处理器量产的消息。受14纳米量产和良率的提高,三星先后抢下了苹果A9和高通的大订单。根据DIGITIMESResearch的预估,三星在2015年的全球市占率有可能达到10%。
不甘示弱的台积电,也宣布将于今年第二季度量产16奈米FinFET强效版制程。而Globalfoundries已在2014年与三星达成策略结盟,拿到了三星14纳米技术授权,并可能于今年同样实现量产。
即使是尚未进入16纳米阶段的台联电,也在2014年年底进入了28纳米量产。其28纳米营收比重迅速爬升到了2014年第四季度营收的5%,并预计在今年的第二季度进行第二代14纳米FinFET制程试产。
“目前这些排在前面的代工厂都已经进入28纳米量产,甚至是14/16纳米量产。虽然目前从行业来说,并没有严格划分谁是第一阵营,但28纳米是一个技术比较关键的工艺点,可以以此划分。”半导体专家莫大康向记者解释。
中国大陆何时重入第一阵营?
在2~3年前,中国大陆也曾经进入过半导体制造的第一阵营。莫大康告诉记者,当时业界对制造第一阵营的划分,是按照是否拥有12英寸晶圆厂的标准来判断的。以此判断,有3座12英寸晶圆厂傍身的中芯国际还处于第一阵营的范围内。
然而,到了现在,判断第一阵营的标准可能就变成了关键的技术节点。“像28纳米制程,不是再光靠购买设备就能实现。因此,也有很多大型的半导体公司从这个节点开始放弃,并选择代工,比如德州仪器、飞思卡尔等,这是全球的总趋势。”莫大康补充道。
作为中国大陆最大的代工企业,中芯国际必然是衡量中国半导体制造的标杆。通过跟高通的合作,中芯国际在2014年12月宣布成功制造出了28纳米的高通骁龙410处理器。虽然业界一直在传中芯国际在28纳米工艺上的成熟,但其28纳米的营收却迟迟没有在其财报中体现。对比同样传出量产消息、并实现5%营收额的台联电,中芯国际的28纳米显然尚未真正实现量产。
武汉新芯高级副总李平向记者坦诚:“中国大陆集成电路制造工艺与世界最先进工艺还落后2~3代的技术。”东电电子上海公司总裁陈捷也同样认为:“中国大陆半导体在2015年仍将继续处于中低端技术阵营。”从制造工艺的角度来看,中国大陆无法跟上工艺节点进步速度,显然已被隔离在第一阵营之外。
这样的结果跟研发投入有很大的关系。根据市场研究公司ICInsights在今年2月公布的报告,英特尔在2014年的研发投入高达115.37亿美元,三星则是21.65亿美元,台积电也有18.74亿美元的研发经费。
与此相比,中芯国际2014年的研发投入只有1.895亿美元,2013年的研发投入是1.45亿美元,2012年的时候稍多一些,超过了2亿美元。因此,技术差距的拉大是必然的。虽然这跟中芯国际保赢利、不主张积极投资的公司策略有一定关系,但也一定程度上反映了中国大陆IC制造的整体情况。
增加投入改善产业环境
中国大陆现已成为世界最大的半导体市场,不论是出于国家自主可控的安全角度,还是出于民族产业的角度,中国大陆都必须加快弥补跟第一阵营的差距。
在2014年6月国务院印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》(以下简称“《纲要》”)中,早已给出了中国大陆集成电路制造的具体蓝图。到2015年,32/28纳米的制造工艺要实现规模量产。到2020年,16/14纳米的制造工艺要实现规模量产。
想要按照路线图,弥补上差距,重新进入半导体制造的第一阵营,莫大康表示,首先要看到产业的复杂性和困难性,改善产业环境;其次,必须要扩大研发投入,不要怕亏本。他向记者解释,半导体技术变化很快,按照摩尔定律来说,两年就会向前进一个技术节点,如果没有办法跟上就会出局。
为了不出局,必须有大量的资金投入研发。按照应用材料副总裁余定陆曾经的说法,半导体制造在20纳米及以下制程时,资本密集度将大幅增长,从60纳米到20纳米,储存器产业的资本将增加3.4倍,IC产业将增加4倍。
李平向记者指出,除了资金外,还必须具备人才、知识产权两大要素。李平认为,国家和地方政府建立的专用于发展集成电路的基金,已解决了企业发展的建设基金问题。他希望国家的投资应该更多地倾向于解决知识产权积累,鼓励行业内人员进行攻关,缩短与国际最先进工艺的差距,避免将大量的资金投在技术落后或者正在成为落后的制造产能上。
陈捷则向记者表示,他认为要结合国际资源加快产业发展,避免重复技术研发及技术发展过程,还要欢迎国际资本和技术的进入,尤其是鼓励海外公司技术入股,可以尝试混合所有制(含外资),加快中国大陆集成电路产业的发展。
【在百度搜索更多关于杭州龙科电子有限公司IC制造工艺落后,中国何时能跟上世界步伐?的相关文章】 【在google搜索更多关于杭州龙科电子有限公司IC制造工艺落后,中国何时能跟上世界步伐?的 相关文章】 |
地 址:浙江省杭州市笕桥镇俞章
工业园
电 话:0571-88139965 88135419
传 真:0571-88331960
技术顾问:13819451813
邮编:310021
邮 箱:loncont@163.com
工业园
电 话:0571-88139965 88135419
传 真:0571-88331960
技术顾问:13819451813
邮编:310021
邮 箱:loncont@163.com